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Technology Application

技術(shù)應(yīng)用

激光硼摻雜技術(shù)

Laser boron doping technology


應(yīng)用原理 / Principle


激光硼摻雜技術(shù)是在現(xiàn)有PERC電池技術(shù)基礎(chǔ)上,通過沉積或印刷硼摻雜源,在激光背面開槽過程中,同步形成激光重?fù)诫s區(qū) P++層。其中激光摻雜形成的P++層,可以有效的降低背面接觸復(fù)合速率,同時(shí)降低背面硅鋁接觸電阻,提升太陽電池開路電壓Voc和填充因子FF,提升電池轉(zhuǎn)換效率。




工藝簡介

Process Introduction



激光硼摻雜技術(shù)是PERC電池技術(shù)未來升級的方向之一。采用CVD沉積或者印刷方式,在PERC藍(lán)膜片背面形成一層硼摻雜源,通過激光開槽過程中的熱效應(yīng),將硼元素同步摻雜進(jìn)硅襯底中,形成P++層,即重?fù)诫s區(qū)。一方面,重?fù)诫s區(qū)形成P++P高低結(jié),形成場鈍化效應(yīng),另一方面,可有效降低鋁硅接觸電阻,從這兩方面提升Voc 和FF,進(jìn)而提高太陽電池轉(zhuǎn)換效率。



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