晶圓激光隱切設(shè)備
- 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
- 該設(shè)備可通過(guò)精密控制及激光內(nèi)部改質(zhì)技術(shù)，使得晶圓切割后裂片擴(kuò)膜成單顆小芯片，以便實(shí)現(xiàn)后續(xù)的晶圓封測(cè)。
- 產(chǎn)品特點(diǎn)
兼容性好，可同時(shí)切割4~12寸及不同厚度的晶圓
支持藍(lán)寶石、硅、碳化硅、鉭酸鋰等襯底材質(zhì)
良好的定位精度及重復(fù)定位精度
切割質(zhì)量高，直線度好，無(wú)崩邊、裂痕
切割區(qū)域影響小，切割道≤20μm
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